[发明专利]使用金属氧化物的大容量一次性可编程存储单元有效
| 申请号： | 200880122646.X | 申请日： | 2008-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101911206A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | T·库玛尔 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D公司 |
| 主分类号： | G11C13/02 | 分类号： | G11C13/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种编程非易失性存储器件的方法，包括(i)提供包含有与至少一个金属氧化物串联的二极管的非易失性存储单元，(ii)施加第一正向偏置，将金属氧化物的电阻率状态从第一状态变化到第二状态；(iii)施加第二正向偏置，将金属氧化物的电阻率状态从第二状态变化到第三状态；以及(iv)施加第三正向偏置，将金属氧化物的电阻率状态从第三状态变化到第四状态。第四电阻率状态高于第三电阻率状态，第三电阻率状态低于第二电阻率状态，而第二电阻率状态低于第一电阻率状态。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 金属 氧化物 容量 一次性 可编程 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种编程非易失性存储单元的方法，包括：提供包括与至少一个金属氧化物串联的二极管的非易失性存储单元；施加第一正向偏置，将所述金属氧化物的电阻率状态从第一状态改变到第二状态；施加第二正向偏置，将所述金属氧化物的电阻率状态从第二状态改变到第三状态；以及施加第三正向偏置，将所述金属氧化物的电阻率状态从第三状态改变到第四状态；其中所述第四电阻率状态高于所述第三电阻率状态，所述第三电阻率状态低于所述第二电阻率状态，所述第二电阻率状态低于所述第一电阻率状态。
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