[发明专利]半导体陶瓷组合物无效
| 申请号： | 200880122787.1 | 申请日： | 2008-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101910088A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 岛田武司 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/46 | 分类号： | C04B35/46;H01C7/02 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人： | 杨本良;陈波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种包括BaTiO3的半导体陶瓷组合物，其中BaTiO3的一部分Ba用Bi-Na代替。该半导体陶瓷组合物能够实现跃变特性的任意控制，同时保持低的室温电阻率。该半导体陶瓷组合物包括BaTiO3，其中BaTiO3的一部分Ba用Bi-Na代替，该组合物在晶粒边界处具有P型半导体。在此情况下，并且通过改变P型半导体的存在率，例如通过改变煅烧条件、添加剂的添加量、烧结条件等等来改变P型半导体的存在率，从而任意地控制室温电阻率，同时保持高的跃变特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 组合 | ||
【主权项】：
一种半导体陶瓷组合物，其中BaTiO3的一部分Ba用Bi Na代替，该组合物在晶粒边界处具有P型半导体。
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