[发明专利]相异材料上的纳米线生长有效
| 申请号： | 200880122997.0 | 申请日： | 2008-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101910050A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | L·萨穆尔森;J·奥尔森;T·马滕森;P·斯文森 | 申请（专利权）人： | 昆南诺股份有限公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;H01L21/18;H01L21/20;H01L21/205;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;蒋骏 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在Si衬底(3)上生长III-V半导体纳米线(2)。受控垂直纳米线生长是通过在生长纳米线之前进行的向Si衬底的(111)表面提供III族或V族原子以提供III族或V族5表面终止层(4)的步骤而实现的。还提出了一种纳米结构化器件，其包括依照预定器件布局以有序图案生长在Si衬底(3)的(111)表面上并从Si衬底(3)的(111)表面突出的多个对齐的III-V半导体纳米线(2)。 | ||
| 搜索关键词： | 相异 材料 纳米 生长 | ||
【主权项】：
一种产生纳米结构化器件的方法，包括(110)从Si衬底的表面生长至少一个III V半导体纳米线(2)的步骤，该方法特征在于(100)向Si衬底(3)的(111)表面提供III族或V族原子以便提供III族或V族表面终止层(4)的步骤，其中提供III族或V族原子的步骤是在生长III V半导体纳米线(2)的步骤之前进行的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆南诺股份有限公司，未经昆南诺股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880122997.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：辐射监测设备
- 下一篇：琥珀酰明胶的制备工艺
