[发明专利]用于注入光刻胶的保护层有效
| 申请号： | 200880123005.6 | 申请日： | 2008-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101903978A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 安德鲁·R·罗马诺;S·M·列扎·萨贾迪 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244 | 代理人： | 樊英如 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种在基片中注入掺杂剂的方法。在该基片上方形成图案化光刻胶掩模，其中该图案化光刻胶掩模具有图案化光刻胶掩模特征。保护层通过执行循环沉积而沉积在该图案化光刻胶掩模上方，其中每个循环包括在光刻胶材料组成的图案化掩模的表面上方沉积沉积层的沉积阶段和提供垂直侧壁的形貌成形阶段。离子束将掺杂剂注入该基片。去除该保护层和光刻胶掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 注入 光刻 保护层 | ||
【主权项】：
一种在基片中注入掺杂剂的方法，包括：在该基片上方形成图案化光刻胶掩模，其中该图案化光刻胶掩模具有图案化光刻胶掩模特征；通过执行循环沉积将保护层沉积在该图案化光刻胶掩模上，其中每个循环包括：在光刻胶材料组成的图案化掩模的表面上方沉积沉积层的沉积阶段；以及提供垂直侧壁的形貌成形阶段；使用离子束将掺杂剂注入该基片中；以及去除该保护层和光刻胶掩模。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880123005.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具快速组装结构的组合式家具
- 下一篇：一种简易折叠式沙发床
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
