[发明专利]微电子传感器设备

摘要

本发明涉及一种用于在介质中的用于包含靶成分的检测体积中响应于入射辐射而提供消逝辐射的光学设备，该检测体积具有至少一个小于衍射极限的平面内维度(W1)。衍射极限由辐射波长和介质限定。消逝辐射由具有小于衍射极限的最小平面内孔隙维度W1的孔隙限定结构提供。检测体积在所述孔隙限定结构之间提供。此外，孔隙限定结构限定了最大平面内孔隙维度W2；其中所述最大平面内孔隙维度大于衍射极限。提供了一种源，其用于发射在光学设备处入射的具有一定波长且具有不平行于平面外法线方向的入射方向的辐射束，以便响应于光学设备处入射的辐射而在检测体积中提供消逝辐射。入射平面平行于最大平面内孔隙维度。

主权项

一种用于在介质中的用于包含靶成分(10)的检测体积(4)中响应于入射辐射(101)而提供消逝辐射(E2)的光学设备(100)，该检测体积(4)具有至少一个小于衍射极限的平面内维度(W1)，衍射极限由辐射波长和介质(2)限定，其中消逝辐射(E2)由具有小于衍射极限的最小平面内孔隙维度(W1)的孔隙限定结构(20)提供，并且其中检测体积在所述孔隙限定结构(20)之间提供，其中这些孔隙限定结构还限定最大平面内孔隙维度(W2)；其中所述最大平面内孔隙维度大于所述衍射极限；以及一种光学引导设备(21，31)，其用于将具有一定波长的辐射束引导成在光学设备(100)上具有与平面外法线方向不同的入射方向，用于响应于该光学设备处入射的辐射而在检测体积(4)中提供消逝辐射，其中光学引导设备(21，31)被设置成提供沿着最大平面内孔隙维度和平面外法线方向的入射平面。