[发明专利]利用ARC层打开的CD偏置负载控制有效
| 申请号： | 200880123036.1 | 申请日： | 2008-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102318037A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 池贞浩;乔纳森·金 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 周文强;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种在设在图案化掩模下方的抗反射涂覆(ARC)层下方的蚀刻层中蚀刻线条图案的方法。该方法包括开口该ARC层，其中提供包括CF3I、含氟碳化合物气体(包括氢氟碳化合物)和含氧气体的ARC开口气体，由该ARC开口气体形成等离子以开口该ARC层和停止提供该ARC开口气体。通过该开口的ARC层将线条图案特征蚀刻进该蚀刻层。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 arc 打开 cd 偏置 负载 控制 | ||
【主权项】：
一种在设在图案化掩模下方的抗反射涂覆(ARC)层下方的蚀刻层中蚀刻线条图案的方法，该方法包括：开口该ARC层，包括：提供ARC开口气体，其包括CF3I、含氟碳化合物气体和含氧气体；由该ARC开口气体形成等离子以开口该ARC层；以及停止提供该ARC开口气体；以及通过该开口的ARC层将线条图案特征蚀刻进该蚀刻层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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