[发明专利]用高蚀刻速率抗蚀剂掩膜进行蚀刻有效
| 申请号： | 200880123037.6 | 申请日： | 2008-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN102007570A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 安德鲁·R·罗马诺;列扎·S·M·萨德贾迪 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 周文强;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种将特征蚀刻入蚀刻层的方法。在该蚀刻层上方形成图案化掩膜，其中该图案化掩膜是高蚀刻速率光阻材料的，其中该图案化掩膜具有图案化掩膜特征。通过执行循环沉积，在该高蚀刻速率光阻材料的图案化掩膜上沉积保护层，其中每个循环包含在该暴露表面上方沉积沉积层的沉积阶段，该暴露表面包括该高蚀刻速率光阻材料的图案化掩膜的侧壁以及用于提供竖直侧壁的轮廓整形阶段。使用该保护层作为掩膜将特征蚀刻入该蚀刻层。除去该保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 速率 抗蚀剂掩膜 进行 | ||
【主权项】：
一种将特征蚀刻入蚀刻层的方法，包含：在该蚀刻层上方形成图案化掩膜，其中该图案化掩膜是高蚀刻速率光阻材料的，其中该图案化掩膜具有图案化掩膜特征；通过执行循环沉积，在该高蚀刻速率光阻材料的图案化掩膜上沉积保护层，其中每个循环包含：在该暴露表面上方沉积沉积层的沉积阶段，该暴露表面包括该高蚀刻速率光阻材料的图案化掩膜的侧壁；以及用于提供竖直侧壁的轮廓整形阶段；使用该保护层作为掩膜将特征蚀刻入该蚀刻层；以及除去该保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
