[发明专利]X射线半导体成像器像素的电隔离有效

专利信息
申请号: 200880123119.0 申请日: 2008-12-26
公开(公告)号: CN101911299A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: E·勒斯尔;R·普罗克绍 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 王英;刘炳胜
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 为了减轻出现在半导体探测器中的电荷共享的影响,提供了一种改进的半导体探测器(200),其包括:布置用于形成至少一个开口(230)的多个阳极(210),每个开口由该多个阳极中的两个阳极形成;至少一个阴极(220);位于该多个阳极和该至少一个阴极之间的探测器单元(240);其中,该探测器单元包括至少一个沟槽(250),该至少一个沟槽中的每个具有与由多个阳极中的两个阳极形成的至少一个开口中的一个对准的第一开口(252),至少一个沟槽中的每个朝向至少一个阴极扩展。通过在探测器单元中形成沟槽,可以通过相应阳极而不是几个邻近阳极接收由单一光子产生的电荷云,这因此改进了半导体探测器的频谱分辨率和计数速率。
搜索关键词: 射线 半导体 成像 像素 隔离
【主权项】:
一种半导体探测器,包括: 布置用于形成至少一个开口的多个阳极,每个开口由所述多个阳极中的两个阳极形成; 至少一个阴极; 位于所述多个阳极和所述至少一个阴极之间的探测器单元;其中,所述探测器单元包括至少一个沟槽,所述至少一个沟槽中的每个具有第一开口,所述第一开口与由所述多个阳极中的两个阳极形成的所述至少一个开口中的一个对准,所述至少一个沟槽中的每个朝向所述至少一个阴极延伸。
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