[发明专利]X射线半导体成像器像素的电隔离有效
申请号: | 200880123119.0 | 申请日: | 2008-12-26 |
公开(公告)号: | CN101911299A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | E·勒斯尔;R·普罗克绍 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王英;刘炳胜 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 为了减轻出现在半导体探测器中的电荷共享的影响,提供了一种改进的半导体探测器(200),其包括:布置用于形成至少一个开口(230)的多个阳极(210),每个开口由该多个阳极中的两个阳极形成;至少一个阴极(220);位于该多个阳极和该至少一个阴极之间的探测器单元(240);其中,该探测器单元包括至少一个沟槽(250),该至少一个沟槽中的每个具有与由多个阳极中的两个阳极形成的至少一个开口中的一个对准的第一开口(252),至少一个沟槽中的每个朝向至少一个阴极扩展。通过在探测器单元中形成沟槽,可以通过相应阳极而不是几个邻近阳极接收由单一光子产生的电荷云,这因此改进了半导体探测器的频谱分辨率和计数速率。 | ||
搜索关键词: | 射线 半导体 成像 像素 隔离 | ||
【主权项】:
一种半导体探测器,包括: 布置用于形成至少一个开口的多个阳极,每个开口由所述多个阳极中的两个阳极形成; 至少一个阴极; 位于所述多个阳极和所述至少一个阴极之间的探测器单元;其中,所述探测器单元包括至少一个沟槽,所述至少一个沟槽中的每个具有第一开口,所述第一开口与由所述多个阳极中的两个阳极形成的所述至少一个开口中的一个对准,所述至少一个沟槽中的每个朝向所述至少一个阴极延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的