[发明专利]用于处理衬底的设备和方法有效
申请号: | 200880123434.3 | 申请日: | 2008-12-10 |
公开(公告)号: | CN101911251A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 韩泳琪;徐映水 | 申请(专利权)人: | 索绍股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种用于处理衬底的设备和方法。通过使用所述设备和方法,可在单个腔室中在衬底的边缘区和后部区中的每一者上个别执行等离子处理。所述设备包含:腔室,其提供反应空间;平台,其安装在所述腔室中;等离子屏蔽单元,其在所述腔室中是与所述平台相对地安装着;支撑单元,其用于在所述平台与所述等离子屏蔽单元之间支撑衬底;第一供应管,其提供于所述平台处以将反应气体或非反应气体供应到所述衬底的一个表面;以及第二和第三供应管,其提供于所述等离子屏蔽单元处,所述第二供应管将反应气体供应到所述衬底的另一表面,所述第三供应管将非反应气体供应到所述另一表面。 | ||
搜索关键词: | 用于 处理 衬底 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于处理衬底的设备,其包括:腔室,其提供反应空间;平台,其安装在所述腔室中;等离子屏蔽单元,其在所述腔室中是与所述平台相对地安装着;支撑单元,其用于在所述平台与所述等离子屏蔽单元之间支撑衬底;第一供应管,其提供于所述平台处以将反应气体或非反应气体供应到所述衬底的一个表面;以及第二和第三供应管,其提供于所述等离子屏蔽单元处,所述第二供应管将所述反应气体供应到所述衬底的另一表面,所述第三供应管将所述非反应气体供应到所述另一表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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