[发明专利]边缘接触型垂直碳纳米管晶体管无效
| 申请号： | 200880123544.X | 申请日： | 2008-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101933125A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 布赖恩·亨特;詹姆斯·哈特曼;迈克尔·J·布洛尼科维斯基;埃里克·王;布赖恩·Y·林 | 申请（专利权）人： | 伊特蒙塔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 宋鹤;南霆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了用于基于碳纳米管的场效应晶体管的垂直器件几何结构，该结构具有形成在沟槽中的一个或多个碳纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘 接触 垂直 纳米 晶体管 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成第二电极层；在所述第一电极层和第二电极层之间形成第一绝缘层；形成延伸到所述第一电极层、第二电极层和第一绝缘层中的沟槽；以及形成从所述第一电极延伸到所述第二电极的第一碳纳米管，其中所述第一碳纳米管与所述第一电极和第二电极电接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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