[发明专利]改进辐射束准直的方法和装置无效
申请号: | 200880123844.8 | 申请日: | 2008-11-19 |
公开(公告)号: | CN101910935A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 费德里科·卡帕索;虞南方;乔纳森·凡 | 申请(专利权)人: | 哈佛大学的校长及成员们 |
主分类号: | G02F1/29 | 分类号: | G02F1/29 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种对辐射进行准直的设备可包括亚波长尺寸的孔以及在金属膜上限定的邻近的一组槽,该金属膜与发射辐射的有源或无源装置一体形成。在激光器或其他辐射发射装置的端面上集成光束准直仪提供了光束准直和极化选择。与现有激光器的输出相比,光束发散度可减小一个以上数量级。具有孔槽结构的有源光束准直仪可与多种光学装置集成,例如半导体激光器(例如量子级联激光器)、发光二极管、光纤以及光纤激光器。 | ||
搜索关键词: | 改进 辐射 束准直 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种生成准直辐射的设备,包括:辐射发射装置,其包括电介质材料形成的端面,所述辐射发射装置限定辐射发射的通道;以及金属膜,其涂覆在所述电介质材料上,所述金属膜限定至少一个孔和与所述孔间距递增地间隔的一组槽,来自所述通道的辐射能够穿过所述孔,并且表面等离子体激元能够在所述孔处生成,所述孔与最近的槽之间的距离与连续间隔的槽之间的距离不同,并且所述槽被配置为使表面等离子体激元散射以产生辐射再发射,从而使来自所述孔的直接发射和来自所述槽的辐射再发射相长干涉以产生在远场的准直辐射。
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