[发明专利]非晶氧化物和场效应晶体管有效
申请号: | 200880123969.0 | 申请日: | 2008-12-25 |
公开(公告)号: | CN101911304A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 板垣奈穗;A·戈雅尔;岩崎达哉 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 康建忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种非晶氧化物至少包含:选自由In、Zn和Sn构成的组的至少一种元素;和Mo。该非晶氧化物中的Mo对比所有金属原子的数量的原子组成比大于等于0.1原子%且小于等于5原子%。 | ||
搜索关键词: | 氧化物 场效应 晶体管 | ||
【主权项】:
一种非晶氧化物,所述非晶氧化物至少包含:选自由In、Zn和Sn构成的组中的至少一种元素;和Mo,其中,所述非晶氧化物中的Mo对比所有金属原子的数量的原子组成比大于等于0.1原子%且小于等于5原子%。
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