[发明专利]散热装置及使用楔形锁系统形成散热装置的方法无效
| 申请号： | 200880124023.6 | 申请日： | 2008-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101911270A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | D·S·斯拉顿;D·L·麦唐纳 | 申请（专利权）人： | 通用电气智能平台有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/373;H01L23/367;H01L23/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周心志;谭祐祥 |
| 地址： | 美国弗*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开内容涉及一种散热装置及一种用于形成散热装置的方法。在一个实施例中，一种用于形成散热装置的方法包括形成至少一个热解石墨(TPG)元件。该至少一个TPG元件包括具有楔形表面的第一侧和具有平整表面的第二侧。该方法还包括：在该至少一个TPG元件上覆盖金属材料，该金属被配置成与该至少一个TPG元件的第一侧互补；以及，施加压力以将金属材料固定到该至少一个TPG元件上。 | ||
| 搜索关键词： | 散热 装置 使用 楔形 系统 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成散热装置的方法，所述方法包括：形成至少一个热解石墨(TPG)元件，所述至少一个热解石墨元件包括具有楔形表面的第一侧和具有平整表面的第二侧；在所述至少一个热解石墨元件上覆盖金属材料，所述金属材料被配置成与所述至少一个热解石墨元件的第一侧互补；以及施加压力，以将所述金属材料固定到所述至少一个热解石墨元件上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用电气智能平台有限公司，未经通用电气智能平台有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880124023.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
