[发明专利]形成内嵌热解石墨的散热器的方法无效
| 申请号： | 200880124085.7 | 申请日： | 2008-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN101971310A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | D·S·斯拉顿;D·L·麦唐纳 | 申请（专利权）人： | 通用电气智能平台嵌入系统公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/373;H01L23/367;B22C7/02;B22D19/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 严志军;谭祐祥 |
| 地址： | 美国弗*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及产生用于形成散热器的、具有嵌入的TPG元件的铝和/或铜材料块。该金属块在X-Y平面中具有改进的导热性。另外，可使用能够在许多各种设施中使用各种机器和装备来执行的方法来产生内嵌TPG的散热器。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 内嵌热解 石墨 散热器 方法 | ||
【主权项】：
一种用于根据本公开的第一实施例形成内嵌热解石墨(TPG)的散热器的方法，所述方法包括：将至少一个TPG元件悬吊在模中；对所述模填充金属材料；加热所述模，以使所述至少一个TPG元件结合在所述金属材料内，以产生内嵌TPG的散热器；以及冷却经结合的内嵌TPG的散热器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
