[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200880124228.4 | 申请日： | 2008-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101911258A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 中畑成二;藤原伸介 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;H01L21/338;H01L21/66;H01L29/47;H01L29/778;H01L29/812;H01L29/872;H01L33/00;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体器件制造方法，其中降低了片分割时的不合格发生率并提高了收率。所述半导体器件制造方法包括：位错密度评价步骤，其中测定GaN衬底中与主面交叉的截面的位错密度，并选择位错密度为预定值以下的GaN衬底；以及分割步骤，其中在由位错密度评价步骤中选择的GaN衬底上层压功能器件部分之后，将所述GaN衬底分割成片状部分。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：位错密度评价步骤：测定GaN衬底截面的位错密度，并选择位错密度为预定值以下的GaN衬底，所述截面与所述GaN衬底的主面交叉；以及分割步骤：在由位错密度评价步骤中选择的GaN衬底上外延生长功能器件部分之后，将所述GaN衬底分割成片状部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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