[发明专利]高线性互补放大器无效
| 申请号： | 200880124411.4 | 申请日： | 2008-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101911476A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 邓君雄;居坎瓦尔·辛格·萨霍塔;佐尔蒂·彭 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32;H03F3/45;H03F1/02;H03F1/08;H03F1/56;H03F3/19;H03F3/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种互补放大器(400)包括以堆叠配置耦合到PMOS晶体管(422)的NMOS晶体管(412)。所述NM(via)。所述NMOS和PMOS晶体管(412/422)作为线性互补放大器而操作，且提供输出信号(vat)。所述NMOS和PMOS晶体管(412/422)可具有单独偏压，所述偏压可经选择以使这些晶体管(412/422)的跨导的低到高转变与高到低转变重叠。所述NMOS和PMOS晶体管的宽度和长度尺寸可经选择以使中等反转区中的所述NMOS晶体管(412)的输入电容的改变和跨导的改变与中等反转区中的所述PMOS晶体管(422)的输入电容的改变和跨导的改变匹配。所述互补放大器可在一电压范围内具有大致恒定的总输入电容和大致恒定的总跨导。 | ||
| 搜索关键词： | 线性 互补 放大器 | ||
【主权项】：
一种设备，其包含：N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，其经配置以接收并放大输入信号；以及P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，其耦合到所述NMOS晶体管且经配置以接收并放大所述输入信号，所述NMOS和PMOS晶体管作为线性互补放大器而操作且提供输出信号。
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