[发明专利]半导体光调制器和光调制装置有效
| 申请号： | 200880124499.X | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101910913A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 石桥忠夫;丸山和宏;小林贤二;明吉智幸;菊池顺裕;都筑健;石川光映 | 申请（专利权）人： | NTT电子股份有限公司;日本电信电话株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体光调制器具备：第一半导体光波导，具有包含以下部分的层叠构造：核心层；夹着上述核心层被分别配置在下部和上部的第一包层和第二包层；插入在上述第二包层和上述核心层之间的势垒层；第二半导体光波导，具有在上述第一半导体光波导的层叠构造中上述第二包层在n型半导体内在层叠方向上局部地贯通的p型半导体的层叠构造；与上述第一半导体光波导的上述第一包层连接的第一电极；电气地将上述第一半导体光波导的上述第二包层和上述第二半导体光波导的上述第二包层的p型半导体连接起来的第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 调制器 调制 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体光调制器，其特征在于包括：第一半导体光波导，具有电光效应，具有包含以下部分的层叠构造：核心层；夹着上述核心层被分别配置在下部和上部，由带隙比上述核心层宽广的n型半导体构成，折射率比上述核心层低的第一包层和第二包层；插入在上述第二包层和上述核心层之间，由形成对电子的电势壁垒的p型半导体构成的势垒层；第二半导体光波导，在光传输方向上与上述第一半导体光波导连接，具有在上述第一半导体光波导的层叠构造中上述第二包层具有在n型半导体内在层叠方向上局部地贯通的p型半导体的层叠构造；与上述第一半导体光波导的上述第一包层连接的第一电极；电气地将上述第一半导体光波导的上述第二包层和上述第二半导体光波导的上述第二包层的p型半导体连接起来的第二电极。
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