[发明专利]大面积纳米图案化方法和设备无效
| 申请号： | 200880124519.3 | 申请日： | 2008-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101911249A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | B·柯宾;I·兰道;B·沃尔夫 | 申请（专利权）人： | 罗利诗公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的实施例涉及在大面积衬底的纳米图案化中有用的方法和设备，其中可旋转掩模用来将辐射敏感材料成像。可旋转掩模通常包含圆柱体。纳米图案化技术利用近场光刻，其中用来使衬底图案化的掩模与衬底动态接触。近场光刻可利用弹性相移掩模，或可采用表面等离子体技术，其中可旋转圆柱体表面包含金属纳米孔或纳米颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 大面积 纳米 图案 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种近场纳米光刻的方法，包含：a)提供衬底，所述衬底具有在所述衬底表面上的辐射敏感层；b)提供可旋转掩模，所述可旋转掩模具有在所述可旋转掩模的外表面上的纳米图案；c)使所述纳米图案与所述衬底表面上的所述辐射敏感层接触；d)使所述可旋转掩模在所述辐射敏感层上面旋转时，通过所述纳米图案将辐射分布，由此在所述辐射敏感层中创建具有范围从小于1μm下至大约1nm的特征尺寸的图像。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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