[发明专利]通过避免几乎不溶性气体引入熔体来减少硅晶体中的气穴无效
| 申请号： | 200880124559.8 | 申请日： | 2008-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101918623A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | H·W·科布;R·菲利普 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/02 | 分类号： | C30B15/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林柏楠;张蓉珺 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于控制由粒状多晶硅装料携带的不溶性气体的量的方法。所述方法包括：(i)将粒状多晶硅装料至进料容器，(ii)在进料容器中形成环境气氛，所述环境气氛具有摩尔分数为至少0.9的气体，所述气体在接近硅熔点的温度和约1巴(约100kPa)的压力下在熔融硅中的溶解度为至少约5×1013个原子/cm3，以及(iii)降低装料后的进料容器内部的压力。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 避免 几乎不 性气 引入 熔体来 减少 晶体 中的 气穴 | ||
【主权项】：
一种用于控制由粒状多晶硅装料携带的不溶性气体的量的方法，所述方法包括：(i)将粒状多晶硅装料至进料容器，(ii)在进料容器中形成环境气氛，所述环境气氛具有摩尔分数为至少0.9的气体，所述气体在接近硅熔点的温度和约1巴(约100kPa)的压力下在熔融硅中的溶解度为至少约5×1013个原子/cm3，以及(iii)降低装料后的进料容器内部的压力。
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