[发明专利]存储器单元、存储器单元编程方法、存储器单元读取方法、存储器单元操作方法及存储器装置有效
| 申请号： | 200880124714.6 | 申请日： | 2008-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101911201A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C7/12;G11C8/08;G11C7/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 所揭示实施例包含存储器单元操作方法、存储器单元编程方法、存储器单元读取方法、存储器单元及存储器装置。在一个实施例中，存储器单元包含字线、第一位线、第二位线及存储器元件。所述存储器元件电连接到所述字线且选择性地电连接到所述第一位线及所述第二位线。所述存储器元件经由所述存储器元件的电阻状态存储信息。所述存储器单元经配置以经由从所述第一位线穿过所述存储器元件流到所述字线的第一电流或从所述字线穿过所述存储器元件流到所述第二位线的第二电流传达所述存储器元件的所述电阻状态。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 编程 方法 读取 操作方法 装置 | ||
【主权项】：
一种存储器单元，其包括：字线；第一位线；第二位线；及存储器元件，其电连接到所述字线且选择性地电连接到所述第一位线且连接到所述第二位线，所述存储器元件经由所述存储器元件的电阻状态来存储信息；其中所述存储器单元经配置以经由从所述第一位线穿过所述存储器元件流到所述字线的第一电流或从所述字线穿过所述存储器元件流到所述第二位线的第二电流传达所述存储器元件的所述电阻状态。
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