[发明专利]具有A1系Ⅲ族氮化物单晶层的层叠体的制造方法、通过该制法制得的层叠体、使用该层叠体的A1系Ⅲ族氮化物单晶基板的制造方法及氮化铝单晶基板无效
| 申请号： | 200880124855.8 | 申请日： | 2008-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN101918624A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 永岛彻;箱守明;高田和哉;石附正成;纐纈明伯;熊谷义直 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东京农工大学;株式会社德山 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 利用下述层叠体的制造方法，提供可适合作为制造Al系III族氮化物单晶自立基板的基底基板来使用的、表面由Al系III族氮化物的单晶构成、且没有裂纹、翘曲的基板。所述制造方法包括以下工序：(1)准备基底基板的工序，所述基底基板具有由与构成欲形成的Al系III族氮化物单晶层的材料不同的材料的单晶构成的表面；(2)在所准备的基底基板的单晶面上形成厚度为10nm～1.5μm的Al系III族氮化物单晶层的工序；(3)在Al系III族氮化物单晶层上形成厚度为Al系III族氮化物单晶层的100倍以上的非单晶层而不破坏Al系III族氮化物单晶层的工序；及(4)将基底基板除去的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 a1 氮化物 单晶层 层叠 制造 方法 通过 制法 使用 单晶基板 氮化 铝单晶基板 | ||
【主权项】：
一种制造层叠体的方法，其特征在于，所述层叠体具有层叠结构，所述层叠结构包括Al系III族氮化物单晶层和非单晶层，所述Al系III族氮化物单晶层具有Al1 (x+y+z)GaxInyBzN所示的组成，其中，x、y及z分别独立地为0以上且小于0.5的有理数，x、y及z之和小于0.5，所述非单晶层由与构成该Al系III族氮化物单晶层的材料同样的材料或以该材料为主要成分的材料构成，且所述Al系III族氮化物单晶层的一个主表面露出于表面；该方法包括以下工序：(1)准备基底基板的工序，所述基底基板具有由与构成欲形成的Al系III族氮化物单晶层的材料不同的材料的单晶构成的表面；(2)在所准备的上述基底基板的单晶面上形成厚度10nm～1.5μm的所述Al系III族氮化物单晶层的工序；(3)制造层叠基板的工序，通过在该Al系III族氮化物单晶层上形成厚度为该Al系III族氮化物单晶层的100倍以上的所述非单晶层，而不破坏上述工序中得到的Al系III族氮化物单晶层，从而在基底基板上层叠所述Al系III族氮化物单晶层及所述非单晶层；及(4)从所述工序中得到的层叠基板除去所述基底基板的工序。
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