[发明专利]声波元件的制造方法有效
| 申请号： | 200880125278.4 | 申请日： | 2008-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN101971491B | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 冬爪敏之;西埜太郎;山崎央;田村登;市川半;有贺正树 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03H3/10 | 分类号： | H03H3/10;H03H9/25 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司11015 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种频率温度特性(TCFTemperature Coefficientof Frequency)优良、且IDT图案的加工精度高、能够耐受200℃以上的高温处理的声波元件的制造方法。本发明的声波元件的制造方法的特征在于包括如下步骤在压电基片(1)的一个主面(1a)上形成IDT(2)；以及在形成IDT(2)的压电基片(1)的另一个主面(1b)上，通过喷镀使具有比压电基片的线膨胀系数还小的线膨胀系数的材料(3)而成膜。 | ||
| 搜索关键词： | 声波 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种声波元件的制造方法，其特征在于，包括：在压电基片的一个主面上，形成梳状电极的步骤；在形成了梳状电极之后的压电基片的另一个主面上，通过喷镀使具有比所述压电基片的线膨胀系数还小的线膨胀系数的材料成膜的步骤；以及，向在通过所述喷镀而成膜的膜上形成的空穴填充填充材料的步骤。
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