[发明专利]液体原料气化器及使用该液体原料气化器的成膜装置有效
| 申请号： | 200880126474.3 | 申请日： | 2008-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101939827A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 冈部庸之;大仓成幸 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/448 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种液体原料气化器以及使用该液体原料气化器的成膜装置，在使液体原料的液滴通过通气性部件而气化时，能够使整个通气性部件的温度变得均匀，能够防止因气化不完全引起的网眼堵塞。液体原料气化器(300)具有：使液体原料成为液滴状并向气化空间(350)喷出的液体原料供给部(300A)；气化部(300B)；将来自液体原料供给部的液滴状的液体原料向气化部内导入的导入口(338)；配置在气化部内且由通气性部件(362)构成的雾气收集部(360)，该通气性部件由通过辐射热被加热的材料构成；辐射热加热器(370)，对通气性部件的整个外侧表面照射热射线，并通过该辐射热对通气性部件进行加热；送出口(340)，其将原料气体送出到外部，原料气体是通过使液滴状的液体原料通过被加热的通气性部件而气化生成的。 | ||
| 搜索关键词： | 液体 原料 气化 使用 装置 | ||
【主权项】：
一种液体原料气化器，其特征在于，包括：使液体原料成为液滴状而喷出的液体原料供给部；使所述液滴状的液体原料气化而生成原料气体的气化部；将来自所述液体原料供给部的所述液滴状的液体原料导入到所述气化部内的导入口；配置在所述气化部内且由通气性部件构成的雾气收集部，该通气性部件由通过辐射热被加热的材料构成；辐射热加热器，该辐射热加热器对所述通气性部件的整个外侧表面照射热射线，并通过该辐射热对所述通气性部件进行加热；和送出口，该送出口将通过使所述液滴状的液体原料通过被加热的所述通气性部件而气化生成的原料气体送出到外部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880126474.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
