[发明专利]背面具有细长交叉指状发射极区域和基极区域的背接触式太阳能电池及其生产方法有效
申请号: | 200880126621.7 | 申请日: | 2008-11-28 |
公开(公告)号: | CN101952972A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 尼尔斯-彼得·哈德尔 | 申请(专利权)人: | 太阳能研究所股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/068 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝 |
地址: | 德国埃*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及背接触式太阳能电池及其产生方法,其中细长发射极区域(5)和细长基极区域(7)在太阳能电池背面的表面上以精细交叉方式限定在半导体衬底(1)中。细长发射极区域(5)和与其成直角延伸的细长发射极电极(11)接触,并且细长基极区域(7)和与其成直角延伸的细长基极电极(13)接触,发射极区域和基极区域(5,7)的结构宽度基本小于发射极电极和基极电极的结构宽度。发射极区域和基极区域(5,7)的精细交叉排列导致半导体衬底内优良的电流收集性能和低串联电阻。由于金属电极的较低复杂结构,所以能够以简单且可靠的方式生产该金属电极结构。 | ||
搜索关键词: | 背面 具有 细长 交叉 发射极 区域 基极 接触 太阳能电池 及其 生产 方法 | ||
【主权项】:
背接触式太阳能电池,具有:半导体衬底(1);所述半导体衬底(1)的背面表面(3)上的细长基极区域(7),所述基极区域(7)具有基极半导体类型;所述半导体衬底(1)的背面表面(3)上的细长发射极区域(5),所述发射极区域(5)具有与所述基极半导体类型相反的发射极半导体类型;横过所述细长发射极区域(5)的用于电接触所述发射极区域(5)的细长发射极电极(11);横过所述细长基极区域(7)的用于电接触所述基极区域(7)的细长基极电极(13);其中所述细长发射极区域(5)具有比所述细长发射极电极(11)小的结构宽度,并且其中所述细长基极区域(7)具有比所述细长基极电极(13)小的结构宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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