[发明专利]二极管无效
| 申请号： | 200880127478.3 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101952969A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | I·尼斯托尔;A·科普塔;T·威克斯特伦 | 申请（专利权）人： | ABB技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/36 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱海煜;徐予红 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 用于快速开关应用的二极管(1)包括具有第一主侧(21)和在第一主侧(21)相对侧的第二主侧(22)的第一导电类型的第一层(2)、设置在第二主侧(22)上的第二导电类型的第二层(3)、具有比第一层(2)高的掺杂浓度的第一导电类型的多个第一区(4)和第二导电类型的多个第二区(5)，二者的这些区交替地设置在第一主侧(21)上。第一金属层(6)设置在第一和第二区(4，5)的顶上且在这些区的位于与第一层(2)相对的那侧上，并且第二金属层(7)设置在所述第二层(3)的顶上且在第二层(3)的位于与第一层(2)相对的那侧上。第一层(2)包括第一子层(23)，其由第一层(2)的第一主侧部分构成，和第二子层(24)，其由第一层(2)的第二主侧部分构成。第一导电类型的第三层(8)设置在第一和第二子层(23，24)之间。该第三层(8)具有比第一层(2)高的掺杂浓度和比第一区(4)低的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 | ||
【主权项】：
一种二极管(1)，包括具有第一主侧(21)和在所述第一主侧(21)相对侧的第二主侧(22)的第一导电类型的第一层(2)，第二导电类型的第二层(3)，其设置在所述第二主侧(22)上，具有比所述第一层(2)高的掺杂浓度的第一导电类型的多个第一区(4)和第二导电类型的多个第二区(5)，二者的这些区交替地设置在所述第一主侧(21)上，第一金属层(6)和第二金属层(7)，所述第一金属层(6)设置在所述第一和第二区(4，5)的顶上且在这些区的位于与所述第一层(2)相对的那侧上，并且所述第二金属层(7)设置在所述第二层(3)的顶上且在所述第二层(3)的位于与所述第一层(2)相对的那侧上，其特征在于所述第一层(2)包括第一子层(23)，其由所述第一层(2)的第一主侧部分构成，以及第二子层(24)，其由所述第一层(2)的第二主侧部分构成，以及特征在于第一导电类型的第三层(8)设置在所述第一和第二子层(23，24)之间，所述第三层(8)具有比所述第一层(2)高的掺杂浓度和比所述第一区(4)低的掺杂浓度。
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