[发明专利]片状结构体、半导体器件及碳结构体的生长方法有效
| 申请号： | 200880127676.X | 申请日： | 2008-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN101959788B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 近藤大雄;岩井大介;山口佳孝;曾我育生 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/373;H01L21/3205;H01L23/532;C01B32/05;B82Y30/00;B82Y40/00;H05K3/40 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 郭晓东,马少东 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有多个线状结构体束(12)，该线状结构体束(12)包括彼此以第一间隙配置的由碳元素构成的多个线状结构体，该多个线状结构体束彼此以比上述第一间隙大的第二间隙配置；石墨层(14)，其形成在多个线状结构体束(12)之间的区域，并与多个线状结构体束连接；填充层(16)，其填充在第一间隙及第二间隙中，用于保持多个线状结构体束(12)及石墨层(14)。 | ||
| 搜索关键词： | 片状 结构 半导体器件 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种片状结构体，其特征在于，具有：多个线状结构体束，该线状结构体束包括彼此以第一间隙配置的由碳元素构成的多个线状结构体，该多个线状结构体束彼此以比上述第一间隙大的第二间隙配置；石墨层，该石墨层有选择地形成在多个上述线状结构体束之间的区域，并与多个上述线状结构体束连接；填充层，该填充层填充在上述第一间隙及上述第二间隙中，用于保持上述多个线状结构体束及上述石墨层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
