[发明专利]纳米膜保护和释放基质有效
| 申请号： | 200880128157.5 | 申请日： | 2008-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101978472A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | T·E·米勒;D·M·斯多里;B·S·基切尔 | 申请（专利权）人： | 纳米表面技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/50;B32B15/01 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林柏楠;张蓉珺 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 改进的原子等离子体沉积(APD)程序用于在多种基材上制备无定形非保角金属薄膜涂层。膜为具有不完整性如小孔或微孔的多孔网格状晶格，其用作用于细胞粘附、生物活性剂和保护性涂层的受控释放的骨架。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 保护 释放 基质 | ||
【主权项】：
一种制备非保角无定形金属氧化物表面膜的方法，其包括：(a)抽空装有基材的加热的反应室；(b)将氧源快速引入抽空的室中；(c)释放真空；(d)将挥发性金属基前体引入密闭的反应室中；和重复步骤(a)‑(d)足以使氧源与金属前体在基材表面上反应以形成非保角无定形金属氧化物表面膜的次数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
