[发明专利][100]或[110]排列的基于半导体的大面积的柔性电子器件

摘要

公开了新型制品和制造新型制品的方法，得到柔性的、大面积的{100}<100>织构的、基于半导体的电子器件。所得到的制品在光伏器件、平板显示器、热光伏器件、铁电器件、发光二极管器件、计算机硬盘驱动器器件、基于磁阻的器件、基于光致发光的器件、非易失性存储器器件、介电器件、热电器件和量子点激光器件的领域中有潜在的应用。

主权项

一种多晶电子器件，包括：a.柔性的、多晶的金属或合金衬底，其具有[100]或[110]的宏观的、单轴的再结晶织构，具有以小于10度的半宽度(FWHM)为特征的织构的镶嵌或锐利度；b.在所述衬底上的至少一个缓冲层，所述至少一个缓冲层选自包括金属、合金、氮化物、硼化物、氧化物、氟化物、碳化物、硅化物、与锗的金属间合金或其组合的组，且其中至少顶部缓冲层具有[100]或[110]的宏观的单轴织构，具有以小于10度的半宽度(FWHM)为特征的织构的镶嵌或锐利度；c.在所述缓冲层上方的电子材料的至少一个外延层，所述电子材料的至少一个外延层选自包括但不限于基于以下的层的组：间接带隙半导体，例如Si、Ge、GaP；直接带隙半导体，例如CdTe、CuInGaSe2(CIGS)、GaAs、AlGaAs、GaInP和AlInP；多频带半导体，例如像Zn1‑yMnyOxTe1‑x的II‑O‑VI材料，以及III‑N‑V多频带半导体，例如GaNxAs1‑x‑yPy，以及其组合，所述电子材料的至少一个外延层包括所述半导体层中的用于获得所需要的n型或p型半导体性质的其他材料的微量掺杂剂。