[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200880128463.9 | 申请日： | 2008-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101983419A | 公开（公告）日： | 2011-03-02 |
| 发明（设计）人： | 须贺保博;滨崎和典 | 申请（专利权）人： | 索尼化学&信息部件株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/52 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的特征在于：对隔着热硬化型粘接膜(2)暂时固定在电路基板(1)上的半导体芯片(3)配置具有剥离膜(4)和在其上层叠的层厚为该半导体芯片(3)厚度的0.5～2倍的热硬化型密封树脂层(5)的密封树脂膜(6)，使得该热硬化型密封树脂层(5)面向半导体芯片(3)，一边从剥离膜(4)侧用橡胶硬度为5～100的橡胶压头(7)进行按压，一边从电路基板(1)侧进行加热，由此，将半导体芯片(3)粘接固定在电路基板(1)上，同时，将半导体芯片(3)树脂密封后，将剥离膜(4)剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电路基板上的半导体芯片被树脂密封的半导体装置的制造方法，其特征在于，隔着热硬化型粘接膜将半导体芯片暂时固定在电路基板上，对暂时固定的半导体芯片配置具有剥离膜和在其上层叠的层厚为该半导体芯片厚度的0.3～2倍的热硬化型密封树脂层的密封树脂膜，使得该热硬化型密封树脂层面向半导体芯片侧，一边从剥离膜侧用橡胶硬度为5～100的橡胶压头进行加压，一边从电路基板侧进行加热，由此，将半导体芯片粘接固定在电路基板上，同时，对半导体芯片进行树脂密封，将表面的剥离膜剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
