[发明专利]在基片上形成复合纳米颗粒金属的金属化触点的方法无效
申请号: | 200880129079.0 | 申请日: | 2008-04-02 |
公开(公告)号: | CN102017164A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 卡雷尔·凡赫斯登;弗朗切斯科·莱米;德米特里·波普拉夫斯基;梅森·特里;马尔科姆·阿博特 | 申请(专利权)人: | 英诺瓦莱特公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01B1/16;H05K1/09;C03C8/18 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 温旭;郝传鑫 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在此披露了一种用于在基片形成触点的方法。该方法包括提供一个基片,该基片被掺杂有一种第一掺杂剂;并且将一种第二掺杂剂扩散到该基片的至少一个第一侧之中以形成一个第二掺杂剂区域,该第一侧进一步包括一个第一侧表面积。该方法还包括在该基体的第一侧上形成一个介电层。该方法进一步包括在该介电层上形成一组复合层区域,其中该组复合层区域中的每个复合层区域进一步包括一组第IV族半导体纳米颗粒以及一组金属颗粒。该方法还包括将该组复合层区域加热至一个第一温度,其中该组复合层区域中的至少某些复合层区域蚀刻穿透该介电层并且与该第二掺杂剂区域形成一组触点。 | ||
搜索关键词: | 基片上 形成 复合 纳米 颗粒 金属 金属化 触点 方法 | ||
【主权项】:
一种用于在基片上形成触点的方法,该方法包括:提供该基片,该基片被掺杂有一种第一掺杂剂;将一种第二掺杂剂扩散到该基片的至少一个第一侧之中以形成一个第二掺杂剂区域,该第一侧进一步包括一个第一侧表面区域;在该基片的第一侧上形成一个介电层;在该介电层上形成一组复合层区域,其中该组复合层区域中的每个复合层区域进一步包括一组第IV族半导体纳米颗粒以及一组金属颗粒;和将该组复合层区域加热至一个第一温度,其中该组复合层区域中的至少某些复合层区域蚀刻穿透该介电层并且与该第二掺杂剂区域形成一组触点。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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