[发明专利]防止或减缓在金属膜上生长形成物有效
| 申请号： | 200880129206.7 | 申请日： | 2008-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102027569A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | J·W·奥森巴赫 | 申请（专利权）人： | 艾格瑞系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国宾*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一方面，本公开提供了电子封装(100)，其包括(衬底105)和镀覆于该衬底表面(107)的金属膜(110)。金属膜具有多晶结构的晶粒(120)，该晶粒具有基本上各向异性的晶体晶胞尺度。对于该晶粒的至少约80％，晶胞(125)的一个尺度(130)取向为基本上垂直于衬底表面的方向(135)。金属膜的金属原子沿着垂直取向的晶胞尺度具有比沿着所述晶胞尺度(132，134)的其它取向更慢的点阵扩散系数。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 减缓 金属膜 生长 形成 | ||
【主权项】：
电子封装，包括：衬底；和镀覆于所述衬底表面的金属膜，其中，所述金属膜具有多晶结构的晶粒，该晶粒具有基本上各向异性的晶体晶胞尺度，对于所述晶粒的至少约80％，所述的晶体晶胞的一个尺度的取向为基本上垂直于所述衬底表面的方向，并且所述金属膜的金属原子沿着所述垂直取向的晶胞尺度具有比沿着所述晶胞尺度的其它取向更慢的点阵扩散系数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
