[发明专利]使用Ⅳ族纳米颗粒在晶片基底上形成结区无效
| 申请号： | 200880129407.7 | 申请日： | 2008-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102047389A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 梅森·特里;霍默·安东尼阿迪斯;德米特里·波普拉夫斯基;马克西姆·克尔曼 | 申请（专利权）人： | 英诺瓦莱特公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L21/336;H01L31/18;H01L21/20;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 温旭;郝传鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在此披露了一种形成扩散区的方法。该方法包括在一个晶片的表面上沉积一种纳米颗粒墨以形成一个非致密的薄膜，该纳米颗粒墨具有成组的纳米颗粒，其中该纳米颗粒组中的至少一些纳米颗粒中包括掺杂剂原子。该方法还包括将非致密的薄膜加热到一个第一温度并持续第一时间段以便从沉积纳米颗粒墨中去除一种溶剂，并将非致密的薄膜加热到一个第二温度并持续第二时间段以形成一个致密化薄膜，其中至少一些掺杂剂原子扩散进入晶片之中以形成扩散区。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 纳米 颗粒 晶片 基底 形成 | ||
【主权项】：
一种形成扩散区的方法，该方法包括：在一个晶片的表面上沉积一种纳米颗粒墨以形成一个非致密的薄膜，该纳米颗粒墨具有成组的纳米颗粒，其中该纳米颗粒组中的至少一些纳米颗粒中包括掺杂剂原子；将该非致密的薄膜加热至一个第一温度并且持续一个第一时间段以便从该沉积的纳米颗粒墨中去除一种溶剂；并且将该非致密的薄膜加热至一个第二温度并且持续一个第二时间段来形成一个致密化薄膜，其中这些掺杂剂原子的至少一些扩散进入该晶片之中以形成该扩散区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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