[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200880129496.5 | 申请日： | 2008-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102047411A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 尾崎史朗;中田义弘;小林靖志;美浓浦优一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/316;H01L23/522 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 菅兴成;吴小瑛 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明半导体装置的制造方法，包括：在基板(10)上形成由硅化合物类绝缘材料构成的绝缘膜(38、40、42)上的工序；在绝缘膜(38、40、42)上形成开口部(48)的工序；通过在含有烃类气体的环境中照射活性能量线，在开口部(48)的内面形成由结晶性SiC构成的阻挡层(50)的工序；以及在形成有阻挡层(50)的开口部(48)内，形成由铜构成的布线结构体(52)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成由硅化合物类绝缘材料构成的绝缘膜的工序；在上述绝缘膜上形成开口部的工序；通过在含有烃类气体的环境中，对形成有上述开口部的上述绝缘膜照射活性能量线，由此至少在所述开口部的内面形成由结晶性SiC构成的阻挡层的工序；以及，在形成有上述阻挡层的上述绝缘膜的上述开口部内，形成由铜构成的布线结构体的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
