[发明专利]氢钝化的硅和锗表面的选择性活化无效
申请号: | 200880129906.6 | 申请日: | 2008-06-17 |
公开(公告)号: | CN102077329A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | 埃列娜·罗戈日讷 | 申请(专利权)人: | 英诺瓦莱特公司 |
主分类号: | H01L21/312 | 分类号: | H01L21/312 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 温旭;郝传鑫 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在此披露了将加帽剂选择性地附接到H钝化的Si或Ge表面上的方法。该方法包括提供该H钝化的Si或Ge表面,该H钝化的Si或Ge表面包括一组共价键合的Si或Ge原子以及一组表面置换原子,其中所述一组表面置换原子包括硼原子、铝原子、镓原子原子、铟原子、锡原子、铅原子、磷原子、砷原子、硫原子、以及铋原子中的至少一种。该方法还包括将所述一组表面官能原子暴露于一组加帽剂中,所述一组加帽剂中的每种加帽剂具有一组键合到成对碳原子上的官能团,其中所述成对碳原子包括至少一个pi轨道键,并且另外其中,在所述一组表面置换原子的至少一些表面置换原子与所述一组加帽剂的至少一些加帽剂之间形成共价键。 | ||
搜索关键词: | 钝化 表面 选择性 活化 | ||
【主权项】:
将加帽剂选择性地附接到H钝化的Si表面上的方法,该表面包括一组共价键合的Si原子以及一组表面置换原子,其中所述一组表面置换原子包括硼原子、铝原子、镓原子、铟原子、锡原子、铅原子、磷原子、砷原子、硫原子、或铋原子中的至少一种,该方法包括:将所述一组表面置换原子暴露于一组加帽剂中,所述一组加帽剂中的每种加帽剂具有键合到成对碳原子上的一组官能团,其中所述成对碳原子包括至少一个pi轨道键;其中,在所述一组表面置换原子的一个或多个表面置换原子与所述一组加帽剂的一种或多种加帽剂之间形成一个或多个共价键。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造