[发明专利]光电动势装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200880129964.9 | 申请日： | 2008-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102067332A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 森川浩昭 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/052 | 分类号： | H01L31/052;H01L31/068 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 崔成哲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 得到一种具有用于有效利用光电动势装置中的背面侧的反射光的结构的光电动势装置。具备：p型硅衬底(12)；n型扩散层(13)，其是在p型硅衬底(12)的光入射面侧扩散n型杂质而得到的；表面电极，其形成在n型扩散层(13)上；p+层(14)，其形成在与p型硅衬底(12)的光入射面相对的背面；背面银电极(18)，其形成在p+层(14)上的规定位置处；以及由绝缘性材料构成的反射层(20)，其形成在形成有背面银电极(18)的p+层(14)上，用于反射光。 | ||
| 搜索关键词： | 电动势 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电动势装置，其特征在于，具备：第一导电型的半导体衬底；第一扩散层，该第一扩散层是在所述半导体衬底的光入射面侧扩散第二导电型的杂质而得到的；表面电极，形成在所述第一扩散层上；第一导电型的第二扩散层，形成在所述半导体衬底的与光入射面相对的背面；背面电极，形成在所述第二扩散层上的规定位置处；以及由绝缘性材料构成的反射层，形成在形成有所述背面电极的所述第二扩散层上，用于反射光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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