[发明专利]太阳能电池单元及其制造方法

摘要

在第1导电类型的半导体基板的一面侧形成第2导电类型的杂质扩散层及反射防止膜，在反射防止膜上涂敷包含玻璃的第1电极材料，在半导体基板的另一面侧形成钝化膜，在钝化膜的至少一部分形成达到半导体基板的另一面侧的多个开口部，以掩埋多个开口部且不与邻接的开口部的第2电极材料接触的方式涂敷包含第1导电类型的杂质元素的第1电极材料，以与所涂敷的所有第2电极材料接触的方式在钝化膜上涂敷第3电极材料，在第1电极材料及第3电极材料的涂敷后以规定的温度加热半导体基板，从而同时形成贯通反射防止膜而与杂质扩散层电连接的第1电极、在半导体基板的另一面侧使第1导电类型的杂质比半导体基板的其他区域高浓度地扩散了的高浓度区域及与高浓度区域电连接的第2电极和第3电极。

主权项

一种太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，包括：第1工序，在第1导电类型的半导体基板的一面侧，形成扩散了第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层；第2工序，在所述杂质扩散层上形成反射防止膜；第3工序，在所述反射防止膜上涂敷包含玻璃的第1电极材料；第4工序，在所述半导体基板的另一面侧形成钝化膜；第5工序，在所述钝化膜的至少一部分，形成达到所述半导体基板的另一面侧的多个开口部；第6工序，以掩埋所述多个开口部、且不与邻接的所述开口部接触的方式，涂敷包含第1导电类型的杂质元素的第2电极材料；第7工序，以与所述涂敷的所有第2电极材料接触的方式，在所述钝化膜上涂敷第3电极材料；以及第8工序，在所述第1电极材料以及所述第3电极材料的涂敷之后，以规定的温度对所述半导体基板进行加热，从而同时形成贯通所述反射防止膜而与所述杂质扩散层电连接的第1电极、在所述半导体基板的另一面侧使第1导电类型的杂质比所述半导体基板的其他区域高浓度地扩散了的高浓度区域、以及与所述高浓度区域电连接的第2电极及第3电极。