[发明专利]具有硅胶保护层的半导体发光器件无效
| 申请号： | 200880130740.X | 申请日： | 2008-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102067337A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 江风益;刘军林;王立 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029 中国江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明的一个实施例提供一种半导体发光器件，该器件包括：衬底，位于所述衬底上的第一掺杂半导体层，位于所述第一掺杂半导体层上的第二掺杂半导体层，位于所述第一和第二掺杂半导体层之间的多量子阱(MQW)有源层。该器件进一步包括与所述第一掺杂半导体层连接的第一电极，与所述第二掺杂半导体层连接的第二电极以及硅胶保护层。所述硅胶保护层实质上覆盖了所述第一和第二掺杂半导体层以及MQW有源层的侧壁，以及未被所述第二电极覆盖的所述第二掺杂半导体层的部分水平表面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 硅胶 保护层 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，该器件包括：衬底；位于所述衬底上第一掺杂半导体层；位于第一掺杂半导体层上的第二掺杂半导体层；位于所述第一和第二掺杂半导体层之间的多量子阱(MQW)有源层；与所述第一掺杂半导体层连接的第一电极；与所述第二掺杂半导体层连接的第二电极；以及硅胶保护层，其实质上覆盖了所述第一和第二掺杂半导体层以及MQW有源层的侧壁，以及未被所述第二电极覆盖的所述第二掺杂半导体层的部分水平表面。
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