[发明专利]用于填充半导体装置内小间隙的化合物、包含该化合物的组合物及制造半导体电容器的方法有效
| 申请号： | 200880130954.7 | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102143990A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 李圣宰;金熙宰;金兑镐;尹祥根;禹昌秀 | 申请（专利权）人： | 第一毛织株式会社 |
| 主分类号： | C08G77/04 | 分类号： | C08G77/04 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种适合用于制造半导体电容器的节点分离工艺的化合物。聚合物的分子量在贮存期间维持基本不改变。此外，聚合物以所需要的速率溶解于碱性显影溶液中，且在溶解速率(DR)无任何显著改变的情况下，在贮存期间具有高度稳定性。本发明还提供包含此化合物的组合物。该组合物在贮存期间具有高度稳定性。因此，该组合物适合用于填充半导体装置内部的小间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 填充 半导体 装置 间隙 化合物 包含 组合 制造 电容器 方法 | ||
【主权项】：
一种用于填充半导体装置内部小间隙的化合物，其中所述化合物包含：(a)在酸催化剂的存在下，通过式1、2及3所代表的化合物的水解所制备的水解产物：[RO]3Si‑[CH2]nR’ (1)其中n为0至10，及R与R’独立地为氢原子、C1‑C12烷基或C6‑C20芳基；HOOC[CH2]nR2Si‑O‑SiR’2[CH2]nCOOH (2)其中n为0至10，及R与R’独立地为C1‑C12烷基或C6‑C20芳基；以及R3Si‑O‑X (3)其中X为R’或SiR’3，及R与R’独立地为C1‑C12烷基或C6‑C20芳基，或者(b)利用所述水解产物的缩聚作用所制备的缩聚物。
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