[发明专利]应变改造复合半导体基片和其形成方法

摘要

本发明生产包括在支持基片上的应变III族氮化物材料晶种层的复合基片。所述复合基片的生产方法包括发展在所述III族氮化物材料中的所需晶格应变，以产生与将在所述复合基片上形成的装置结构体的晶格参数基本上匹配的晶格参数。可以形成具有Ga极性或N极性的所述III族氮化物材料。可以通过在所述III族氮化物材料和生长基片之间形成缓冲层、在所述III族氮化物材料中注入掺杂物或引入杂质以修改其晶格参数，或在具有不同热膨胀系数(CTE)的生长基片上形成具有热膨胀系数(CTE)的III族氮化物材料，而发展所需晶格应变。

主权项

一种半导体基片的制造方法，所述方法包括：通过在具有所需晶格应变的第一基片上形成III族氮化物材料和在所述III族氮化物材料的第一表面上形成Ga‑面以及在所述III族氮化物材料的第二表面上形成N‑面，从而形成应变供体结构体；选择附着表面，其中所述附着表面是用于形成N‑极复合基片的第一表面或用于形成Ga‑极复合基片的第二表面；在所述应变供体结构体中于预定深度处形成弱化区，以在所述附着表面和所述弱化区之间限定应变晶种层，并在所述弱化区和与所述附着表面相对的表面之间限定残余应变供体结构体；将支持基片结合至所述III族氮化物材料的附着表面；和在弱化区处将所述残余应变供体结构体与所述应变晶种层分离，以形成包含所述支持基片和所述应变晶种层的应变复合基片。