[发明专利]用于包封纳米晶体的方法及所得的复合物无效
| 申请号： | 200880132416.1 | 申请日： | 2008-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102257599A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | R·S·杜布罗 | 申请（专利权）人： | 纳米系统公司 |
| 主分类号： | H01L21/06 | 分类号： | H01L21/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李跃龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了气密密封发光纳米晶体的方法，还提供了包含气密密封的发光纳米晶体的复合物和容器。通过气密密封发光纳米晶体，可获得改善的使用寿命和发光性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 纳米 晶体 方法 所得 复合物 | ||
【主权项】：
一种气密密封一个或多个包含多个发光纳米晶体的复合物的方法，该方法包括：(a)提供第一基体；(b)将一个或多个包含多个发光纳米晶体的复合物布置到第一基体上；(c)在第一基体上布置第二基体从而覆盖发光纳米晶体的复合物；以及(d)密封第一基体和第二基体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
