[发明专利]忆阻设备以及制造和使用所述忆阻设备的方法有效
| 申请号： | 200880132493.7 | 申请日： | 2008-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102265397A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | R.S.威廉斯;D.B.斯特鲁科夫;A.布拉特科夫斯基 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;王洪斌 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 此处公开了一种忆阻设备。该设备包括：第一电极，第二电极，以及设置在所述第一和第二电极之间的有源区。在所述有源区中存在至少两个移动物种。所述至少两个移动物种中的每一个被配置成限定所述忆阻设备的单独状态变量。 | ||
| 搜索关键词： | 设备 以及 制造 使用 述忆阻 方法 | ||
【主权项】：
一种忆阻设备，包括：第一电极；第二电极；设置在所述第一和第二电极之间的有源区；以及在所述有源区中存在的至少两个移动物种，所述至少两个移动物种中的每一个被配置成限定所述忆阻设备的单独状态变量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
