[发明专利]光伏结构和在短柱上采用纳米线的制造方法无效
申请号: | 200880132827.0 | 申请日: | 2008-12-19 |
公开(公告)号: | CN102326258A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | S.V.马泰;N.P.科巴亚施;S-Y.王 | 申请(专利权)人: | 惠普开发有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘春元;王洪斌 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 光伏电池(100)、(200)的光伏结构(105)和制造光伏结构(105)、(100)、(200)的方法(300)采用具有被连接到短柱(120)的基部的纳米线(140)和包围短柱的电隔离层(130)。短柱是衬底表面(112)的组成部分。纳米线远离衬底表面延伸并且比短柱更宽。纳米线基部覆于隔离层的、邻近于短柱的部分之上。半导体结包括纳米线。方法(300)包括形成(320)短柱;从短柱生长(340)纳米线;和以保形方式涂覆(360)纳米线。纳米颗粒(150)被施加(322)到衬底表面。使用纳米颗粒作为掩模,隔离层在衬底表面上产生(324)并且嵌入其中。在纳米颗粒下面的衬底表面的一部分形成短柱。纳米颗粒(150)在短柱上催化纳米线生长(340)。短柱比纳米颗粒更窄。 | ||
搜索关键词: | 结构 短柱上 采用 纳米 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光伏电池(100)、(200)的光伏结构(105)包括:作为衬底表面(112)的组成部分的短柱(120);具有被连接到所述短柱的基部的纳米线(140),所述纳米线远离所述衬底表面延伸,所述纳米线比所述短柱更宽;包围所述短柱的电隔离层(130),所述纳米线基部覆在所述电隔离层的、邻近于所述短柱的部分之上;和包括所述纳米线的半导体结。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠普开发有限公司,未经惠普开发有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880132827.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的