[发明专利]光伏结构和在短柱上采用纳米线的制造方法无效

专利信息
申请号: 200880132827.0 申请日: 2008-12-19
公开(公告)号: CN102326258A 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: S.V.马泰;N.P.科巴亚施;S-Y.王 申请(专利权)人: 惠普开发有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 刘春元;王洪斌
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 光伏电池(100)、(200)的光伏结构(105)和制造光伏结构(105)、(100)、(200)的方法(300)采用具有被连接到短柱(120)的基部的纳米线(140)和包围短柱的电隔离层(130)。短柱是衬底表面(112)的组成部分。纳米线远离衬底表面延伸并且比短柱更宽。纳米线基部覆于隔离层的、邻近于短柱的部分之上。半导体结包括纳米线。方法(300)包括形成(320)短柱;从短柱生长(340)纳米线;和以保形方式涂覆(360)纳米线。纳米颗粒(150)被施加(322)到衬底表面。使用纳米颗粒作为掩模,隔离层在衬底表面上产生(324)并且嵌入其中。在纳米颗粒下面的衬底表面的一部分形成短柱。纳米颗粒(150)在短柱上催化纳米线生长(340)。短柱比纳米颗粒更窄。
搜索关键词: 结构 短柱上 采用 纳米 制造 方法
【主权项】:
一种光伏电池(100)、(200)的光伏结构(105)包括:作为衬底表面(112)的组成部分的短柱(120);具有被连接到所述短柱的基部的纳米线(140),所述纳米线远离所述衬底表面延伸,所述纳米线比所述短柱更宽;包围所述短柱的电隔离层(130),所述纳米线基部覆在所述电隔离层的、邻近于所述短柱的部分之上;和包括所述纳米线的半导体结。
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