[发明专利]图案化介质型磁记录介质的制造方法无效
申请号: | 200910000287.7 | 申请日: | 2009-01-09 |
公开(公告)号: | CN101483046A | 公开(公告)日: | 2009-07-15 |
发明(设计)人: | 谷口克己 | 申请(专利权)人: | 富士电机电子技术株式会社 |
主分类号: | G11B5/855 | 分类号: | G11B5/855 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明目的在于提供一种在形成中间层的凹凸图案时的干式蚀刻工艺中,能够以高精度仅对必要部位进行加工的图案化介质型磁记录介质的制造方法。其包括在基板上依次形成软磁层、蚀刻阻挡层、种子层、中间层、硬掩模层和抗蚀剂的工序;将上述抗蚀剂图案化,得到抗蚀剂图案的工序;将上述抗蚀剂图案作为掩模,对硬掩模层进行蚀刻,得到图案状硬掩模层的工序;剥离上述抗蚀剂图案的工序;将上述图案状硬掩模层作为掩模,对上述中间层进行蚀刻,得到图案状中间层的工序;剥离上述图案状硬掩模层的工序;和形成磁记录层的工序,该工序在上述图案状中间层上形成垂直取向部,并在上述种子层上形成无规取向部。 | ||
搜索关键词: | 图案 介质 记录 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种图案化介质型磁记录介质的制造方法,其特征在于,包括:在基板上依次形成软磁层、蚀刻阻挡层、种子层、中间层、硬掩模层和抗蚀剂的工序;将所述抗蚀剂图案化,得到抗蚀剂图案的工序;将所述抗蚀剂图案作为掩模,对硬掩模层进行蚀刻,得到图案状硬掩模层的工序;剥离所述抗蚀剂图案的工序;将所述图案状硬掩模层作为掩模,对所述中间层进行蚀刻,得到图案状中间层的工序;剥离所述图案状硬掩模层的工序;和形成磁记录层的工序,该工序在所述图案状中间层上形成垂直取向部,并在所述种子层上形成无规取向部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机电子技术株式会社,未经富士电机电子技术株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910000287.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。