[发明专利]形成包括薄层的光伏电池的方法有效
申请号: | 200910000498.0 | 申请日: | 2009-02-05 |
公开(公告)号: | CN101504957A | 公开(公告)日: | 2009-08-12 |
发明(设计)人: | 斯里尼瓦桑·斯瓦瑞姆;阿蒂塔亚·阿加瓦尔;S·布莱德·赫内尔;克里斯托弗·J·佩蒂 | 申请(专利权)人: | 特温克里克技术公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/042 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵 飞;南 霆 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及形成包括薄层的光伏电池的方法。通过将气体离子注入在诸如半导体晶片之类的施主体的表面以下,来形成非常薄的光伏电池。离子注入界定了解理平面,并且后续的步骤在解理平面处将薄层从晶片剥离。在层内形成光伏电池,或者形成光伏电池的基极或发射极的全部或部分。在优选实施例中,在解理步骤之前,晶片附装到接收体。可以形成对于层的两个表面或仅一个表面的电接触。 | ||
搜索关键词: | 形成 包括 薄层 电池 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种形成光伏电池的方法,所述方法包括:提供具有第一原料厚度的连续单层半导体施主体;以及解理所述连续单层半导体施主体的一部分以形成第一半导体材料层,所述第一半导体材料层具有第一层厚度,所述第一层厚度在约0.2微米与约100微米之间;以及制造所述光伏电池,其中所述第一半导体材料层包括所述光伏电池的基极或发射极或两者的至少一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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