[发明专利]半导体器件及制造该器件的方法无效
| 申请号： | 200910000507.6 | 申请日： | 2009-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN101728321A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 郑璲钰 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/786 | 分类号： | H01L21/786;H01L27/12;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及制造该器件的方法，该半导体器件具有增强的浮体，该制造方法用于提高器件的操作稳定性。该方法包括在绝缘体上硅上沉积鳍形结构；形成覆盖鳍形结构的栅极图案；以及在从栅极图案的两侧露出的绝缘体上硅中形成传导区域以分隔每个晶体管的浮体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在绝缘体上硅上沉积鳍形结构；形成覆盖所述鳍形结构的栅极图案；以及在从所述栅极图案的两侧露出的绝缘体上硅中形成传导区域以分隔每个晶体管的浮体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
