[发明专利]单晶硅薄膜太阳电池无效
| 申请号： | 200910001026.7 | 申请日： | 2009-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101478016A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 陈吉堃 | 申请（专利权）人： | 陈吉堃 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种廉价单晶硅薄膜太阳电池制造方法，用于将太阳能转换为电能。其特征在于，以廉价的物理方法提纯的单晶硅片为衬底，采用化学气相沉积方法生长单晶硅薄膜，制造单晶硅薄膜太阳电池。利用本发明制造的单晶硅薄膜太阳电池，具有转换效率高、成本低、性能稳定和使用寿命长等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 薄膜 太阳电池 | ||
【主权项】：
1、一种廉价单晶硅薄膜太阳电池制造方法，用于将太阳能转换为电能，其特征在于，以廉价的物理方法提纯的单晶硅片为衬底，采用化学气相沉积方法生长单晶硅薄膜，制造单晶硅薄膜太阳电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
