[发明专利]介电层抛光液无效
| 申请号： | 200910001030.3 | 申请日： | 2009-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101781522A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 闵学勇;邢振林 | 申请（专利权）人： | 昆山市百益电子科技材料有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体产业的介电层抛光液，其技术方案为：二氧化硅磨料2-50％；pH调节剂0.2-10％；螯合剂0.1-5％；铵盐0.1-5％；表面活性剂0.01-5％；其余为去离子水，混合，搅拌而形成，采用本技术方案能提供不含金属离子而且不具有臭味的弱碱性介电层抛光液，使用后不但不会污染介电层，并没有令人讨厌的臭味。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 抛光 | ||
【主权项】：
一种介电层抛光液，其特征在于抛光液的组分及重量百份比如下：二氧化硅磨料2-50；PH调节剂0.2-10；螯合剂0.1-5；铵盐0.1-5；表面活性剂0.01-5；余量为去离子水。
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