[发明专利]浅沟槽隔离抛光液无效
申请号: | 200910001031.8 | 申请日: | 2009-01-20 |
公开(公告)号: | CN101781523A | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
发明(设计)人: | 闵学勇;邢振林 | 申请(专利权)人: | 昆山市百益电子科技材料有限公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02;H01L21/3105 |
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地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种浅沟槽隔离抛光液,其技术方案为:氧化铈磨料1-50%,pH调节剂0.2-10%,螯合剂0.1-5%,表面活性剂0.01-5%,特殊添加剂0.1-10%,其余为去离子水,混合,搅拌而形成。采用本技术方案能对氧化物的反应性极强,具有高抛光速率,而且容易取得氧化物与氮化物的高选择比的要求。 | ||
搜索关键词: | 沟槽 隔离 抛光 | ||
【主权项】:
一种浅沟槽隔离抛光液,其特征在于抛光液的组分及重量百份比如下:氧化铈磨料1-50;PH调节剂0.2-10;螯合剂0.1-5;表面活性剂0.01-5;特殊添加剂0.1-10;余量为去离子水。
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