[发明专利]以钆镥铈为基质的荧光粉及使用其的暖白光发光二极管无效
申请号: | 200910001128.9 | 申请日: | 2009-01-23 |
公开(公告)号: | CN101475800A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 索辛纳姆;罗维鸿;蔡绮睿 | 申请(专利权)人: | 罗维鸿 |
主分类号: | C09K9/00 | 分类号: | C09K9/00;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200231上海市徐*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种以钆镥铈为基质的荧光粉,其特征在于:该荧光粉材料成份中添加F-1离子及N-3离子,取代部分石榴石晶格中的氧离子,其化学计量式为:(Gd1-x-yLuxCey)3Al5O12-zFz/2Nz/2,该荧光粉经由一氮化铟镓(InGaN)半导体异质结短波激发后可辐射在橙红色光谱区域范围中。此外,本发明亦揭示一种暖白光发光二极管,其采用该钆镥铈为基质的荧光粉,当其波长λ=420~500nm的半导体异质结辐射激发时,荧光粉在橙红色发光最大光谱λ>575nm,半波宽大于135nm,演色指数Ra≥80。 | ||
搜索关键词: | 钆镥铈 基质 荧光粉 使用 白光 发光二极管 | ||
【主权项】:
1. 一种荧光粉,以钆镥铈为基质,其特征在于:该荧光粉材料成份中添加F-1及N-3,取代部分石榴石中的氧,其化学计量式为:(Gd1-x-yLuxCey)3Al5O12-zFz/2Nz/2,经由一氮化铟镓InGaN半导体异质结短波激发后可辐射在橙红色光谱区域范围中。
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