[发明专利]半导体元件以及半导体装置无效
| 申请号： | 200910001631.4 | 申请日： | 2009-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101483193A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 小野瑞城 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/423;H01L27/12;H01L29/792;H01L27/088 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件，具有：半导体基板、绝缘区域、第一导电类型的多个线状半导体层、第二导电类型的多个源/漏区域、多个沟道区域、第一绝缘膜、以及栅电极，其中，与在线方向上流过上述线状半导体层的电流垂直且与上述半导体基板的表面平行地测量的各沟道区域的长度小于等于由上述沟道区域中的杂质浓度决定的最大耗尽层宽度的二倍，上述多个线状半导体层的间隔小于等于各线状半导体层的上表面与上述栅电极的间隔的二倍，上述绝缘区域的表面的至少一部分的相对介电常数低于3.9。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 以及 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体元件，具有：半导体基板；绝缘区域，设置在上述半导体基板上；第一导电类型的多个线状半导体层，大致平行地排列设置在上述绝缘区域上，并具有上表面和侧面；第二导电类型的多个源/漏区域，隔开设置在各线状半导体层中；多个沟道区域，分别设置在上述源/漏区域之间；第一绝缘膜，设置在各沟道区域上的上述上表面和侧面上；以及栅电极，设置在上述第一绝缘膜上，并连续设置成与上述线状半导体层交叉，其中，与在线方向上流过上述线状半导体层的电流垂直且与上述半导体基板的表面平行地测量的各沟道区域的长度小于等于由上述沟道区域中的杂质浓度决定的最大耗尽层宽度的二倍，上述多个线状半导体层的间隔小于等于各线状半导体层的上表面与上述栅电极的间隔的二倍，上述绝缘区域的表面的至少一部分的相对介电常数低于3.9。
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